MSD602-RT1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MSD602-RT1G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
600mV @ 30mA, 300mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 150mA, 10V |
Leistung max |
200mW |
Frequenz - Übergang |
- |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket |
SC-59 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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