MPSH17G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MPSH17G |
Teilstatus |
Obsolete |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
15V |
Frequenz - Übergang |
800MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
6dB @ 200MHz |
Gewinnen |
24dB |
Leistung max |
350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
25 @ 5mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
- |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Lieferantengerätepaket |
TO-92-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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