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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › MC1413DR2G
MC1413DR2G

MC1413DR2G - ON Semiconductor

Artikelnummer
MC1413DR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MC1413DR2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
138748 pcs
Referenzpreis
USD 0.1902/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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MC1413DR2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MC1413DR2G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 7 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 16-SOIC
Gewicht -
Ursprungsland -

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