MBT2222ADW1T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	MBT2222ADW1T1G
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Leistung max	150mW
Frequenz - Übergang	300MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MBT2222	EXSHINE	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N-P-N TRANSISTORS	Einzelheiten
MBT2222A	EXSHINE	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N-P-N TRANSISTORS	Einzelheiten
MBT2222ADW	WEITRON	Dual General Purpose Transistors	Einzelheiten
MBT2222ADW1T1	ON	MBT2222ADW1T1 ON SOT363 New Original Stocks	Einzelheiten
MBT2222ADW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten