J111-D26Z - ON Semiconductor

Artikelnummer	J111-D26Z
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	35V
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	20mA @ 15V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	3V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Widerstand - RDS (Ein)	30 Ohms
Leistung max	625mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
J11.3300.01	STAUEU	J11.3300.01 STAUEU SOP-16 New Original Stocks	Einzelheiten
J110	Central Semiconductor Corp	JFET N-CH TO-92	Einzelheiten
J110,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 0.4W SOT54	Einzelheiten
J1109	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
J110G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	Einzelheiten
J110RLRAG	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 0.31W TO92	Einzelheiten
J110_D26Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	Einzelheiten
J110_D75Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	Einzelheiten
J111	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 625MW TO92	Einzelheiten
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3	Einzelheiten