FDD24AN06LA0-F085

FDD24AN06LA0-F085 - ON Semiconductor

Artikelnummer
FDD24AN06LA0-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
335685 pcs
Referenzpreis
USD 0.49049/pcs
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FDD24AN06LA0-F085 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDD24AN06LA0-F085
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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