FDD16AN08A0-F085 - ON Semiconductor

Artikelnummer	FDD16AN08A0-F085
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1874pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	135W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252AA
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDD16AN08A0	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK	Einzelheiten
FDD16AN08A0-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 50A DPAK	Einzelheiten
FDD16AN08A0_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 50A DPAK	Einzelheiten
FDD16AN08A0_NF054	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 50A DPAK	Einzelheiten