FDC642P-F085 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
FDC642P-F085 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
P-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
65 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
16nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) |
±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
640pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
1.2W (Ta) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
SuperSOT™-6 |
| Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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