BFR31LT1G - ON Semiconductor

Artikelnummer	BFR31LT1G
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	1mA @ 10V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	2.5V @ 0.5nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)	-
Leistung max	225mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3 (TO-236)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BFR 106 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181 E6780	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 181T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75	Einzelheiten
BFR 181W E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323	Einzelheiten
BFR 182 B6663	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 182 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23	Einzelheiten
BFR 182T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75	Einzelheiten
BFR 182W E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323	Einzelheiten
BFR 183 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23	Einzelheiten