55GN01MA-TL-E - ON Semiconductor

Artikelnummer	55GN01MA-TL-E
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	10V
Frequenz - Übergang	4.5GHz ~ 5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.9dB @ 1GHz
Gewinnen	10dB @ 1GHz
Leistung max	400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	70mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket	3-MCP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
55GN01C-TB-E	SANYO	55GN01C-TB-E SANYO SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
55GN01CA-TB-E	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP	Einzelheiten
55GN01FA-TL-H	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP	Einzelheiten
55GN01M-TL-E	SANYO	55GN01M-TL-E SANYO SOT323 New Original Stocks	Einzelheiten
55GN01MA-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP	Einzelheiten