2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E - ON Semiconductor

Artikelnummer
2SK3666-3-TB-E
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - JFETs
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0984/pcs
Unser Preis
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2SK3666-3-TB-E detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SK3666-3-TB-E
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) -
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 1.2mA @ 10V
Stromabfluss (Id) - Max 10mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 180mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein) 200 Ohm
Leistung max 200mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket 3-CP
Gewicht -
Ursprungsland -

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