| Artikelnummer | L225J250 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Widerstand (Ohm) | 250 |
| Toleranz | ±5% |
| Leistung (Watt) | 225W |
| Zusammensetzung | Wirewound |
| Temperaturkoeffizient | ±260ppm/°C |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 350°C |
| Eigenschaften | Flame Retardant Coating, Safety |
| Beschichtung, Gehäusetyp | Vitreous Enamel Coated |
| Montagefunktion | Brackets (not included) |
| Größe / Dimension | 1.126" Dia x 10.500" L (28.60mm x 266.70mm) |
| Höhe - Sitzend (Max) | - |
| Führungsstil | Solder Lugs |
| Paket / Fall | Radial, Tubular |
| Fehlerrate | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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L225 | POLYFET | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR | Einzelheiten |
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L225J100 | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J100E | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J100K | Ohmite | RES CHAS MNT 100K OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J100KE | Ohmite | RES CHAS MNT 100K OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J10K | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J10KE | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J10R | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 225W | Einzelheiten |
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L225J10RE | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 225W | Einzelheiten |
