PMG45UN,115

PMG45UN,115 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
PMG45UN,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4179 pcs
Referenzpreis
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PMG45UN,115 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PMG45UN,115
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 10V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 375mW (Ta), 4.35W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 3A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-TSSOP
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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