PMBFJ309,215 - NXP USA Inc.

Artikelnummer	PMBFJ309,215
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	25V
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	12mA @ 10V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	1V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)	50 Ohm
Leistung max	250mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23 (TO-236AB)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMBF107	PHILIPSNXP	PMBF107 PHILIPS/NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMBF170	NXP	PMBF170 NXP SMD or Through Hole New Original Stocks	Einzelheiten
PMBF170,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23	Einzelheiten
PMBF170,235	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23	Einzelheiten
PMBF4391,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	Einzelheiten
PMBF4392,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	Einzelheiten
PMBF4393	NXP	PMBF4393 NXP SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMBF4393,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 250MW SOT23	Einzelheiten
PMBFJ108	NXP	PMBFJ108 NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMBFJ108,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 25V 250MW SOT23	Einzelheiten