PBRN113EK,115 - NXP USA Inc.

Artikelnummer	PBRN113EK,115
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	1k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 300mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	500nA
Frequenz - Übergang	-
Leistung max	250mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SMT3; MPAK
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PBRN113EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3	Einzelheiten
PBRN113ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3	Einzelheiten
PBRN113ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB	Einzelheiten
PBRN113ZK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3	Einzelheiten
PBRN113ZS,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3	Einzelheiten
PBRN113ZT,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB	Einzelheiten
PBRN123EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3	Einzelheiten
PBRN123ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3	Einzelheiten
PBRN123ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB	Einzelheiten
PBRN123YK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3	Einzelheiten