| Artikelnummer | MRF6V2300NBR5 |
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| Teilstatus | Not For New Designs |
| Transistor-Typ | LDMOS |
| Frequenz | 220MHz |
| Gewinnen | 25.5dB |
| Spannung - Test | 50V |
| Aktuelle Bewertung | - |
| Rauschzahl | - |
| Aktueller Test | 900mA |
| Leistung | 300W |
| Spannung - Bewertet | 110V |
| Paket / Fall | TO-272BB |
| Lieferantengerätepaket | TO-272 WB-4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MRF6V10010NR4 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 | Einzelheiten |
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MRF6V10250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Einzelheiten |
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MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | Einzelheiten |
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MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Einzelheiten |
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MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Einzelheiten |
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MRF6V12250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Einzelheiten |
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MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | Einzelheiten |
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MRF6V12500GSR5 | NXP USA Inc. | PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE | Einzelheiten |
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MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Einzelheiten |
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MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | Einzelheiten |
