| Artikelnummer | MMRF1018NBR1 |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | LDMOS |
| Frequenz | 860MHz |
| Gewinnen | 22dB |
| Spannung - Test | 50V |
| Aktuelle Bewertung | - |
| Rauschzahl | - |
| Aktueller Test | 350mA |
| Leistung | 18W |
| Spannung - Bewertet | 120V |
| Paket / Fall | TO-272-4 |
| Lieferantengerätepaket | TO-272-4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | Einzelheiten |
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MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | Einzelheiten |
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MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | Einzelheiten |
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MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | Einzelheiten |
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MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | Einzelheiten |
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MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S | Einzelheiten |
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MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | Einzelheiten |
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MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | Einzelheiten |
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MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER | Einzelheiten |
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MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | Einzelheiten |
