BYC8B-600PQP - NXP USA Inc.

Artikelnummer	BYC8B-600PQP
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	3.4V @ 8A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	18ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	20µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Betriebstemperatur - Kreuzung	175°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BYC8-1200PQ	WeEn Semiconductors	BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA	Einzelheiten
BYC8-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYC8-600P,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYC8B-600	NXP	BYC8B-600 NXP TO263 New Original Stocks	Einzelheiten
BYC8B-600,118	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK	Einzelheiten
BYC8B-600PJ	WeEn Semiconductors	DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK	Einzelheiten
BYC8B-600PQP	NXP USA Inc.	DIODE GEN PURP 600V 8A	Einzelheiten
BYC8D-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC	Einzelheiten
BYC8DX-600,127	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F	Einzelheiten
BYC8X-600	NXP	BYC8X-600 NXP TO220 New Original Stocks	Einzelheiten