| Artikelnummer | AFT09S200W02NR3 |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | LDMOS |
| Frequenz | 960MHz |
| Gewinnen | 19.2dB |
| Spannung - Test | 28V |
| Aktuelle Bewertung | - |
| Rauschzahl | - |
| Aktueller Test | 1.4A |
| Leistung | 56W |
| Spannung - Bewertet | 70V |
| Paket / Fall | OM-780-2 |
| Lieferantengerätepaket | OM-780-2 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | Einzelheiten |
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AFT09H310-04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS | Einzelheiten |
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AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Einzelheiten |
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AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Einzelheiten |
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AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | Einzelheiten |
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AFT09MS015NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ PLD | Einzelheiten |
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AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | Einzelheiten |
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AFT09MS031NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO-270-2 | Einzelheiten |
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AFT09S200W02GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | Einzelheiten |
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AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | Einzelheiten |
