A2T23H200W23SR6

A2T23H200W23SR6 - NXP USA Inc.

Artikelnummer
A2T23H200W23SR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Kurze Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
A2T23H200W23SR6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2832 pcs
Referenzpreis
USD 58.1154/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern A2T23H200W23SR6

A2T23H200W23SR6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer A2T23H200W23SR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz
Gewinnen 15.5dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 500mA
Leistung 51W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall ACP-1230S-4L2S
Lieferantengerätepaket ACP-1230S-4L2S
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR A2T23H200W23SR6