PUMD12/DG/B3,115 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
PUMD12/DG/B3,115 |
| Teilstatus |
Obsolete |
| Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
| Resistor - Base (R1) |
47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) |
47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
| Frequenz - Übergang |
230MHz, 180MHz |
| Leistung max |
300mW |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Paket / Fall |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket |
SOT-363 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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