| Artikelnummer | PSMN3R0-30YLDX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2939pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 91W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | Einzelheiten |
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PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN3R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Einzelheiten |
_SOT226%20Pkg.jpg "PSMN3R0-60ES,127") |
PSMN3R0-60ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK | Einzelheiten |
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PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | Einzelheiten |
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PSMN3R2-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN3R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Einzelheiten |
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PSMN3R3-60PLQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 | Einzelheiten |
