PMV50ENEAR - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMV50ENEAR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	276pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 3.9A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB (SOT23)
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMV50ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO-236AB	Einzelheiten
PMV50EPEAR	Nexperia USA Inc.	PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/	Einzelheiten
PMV50UPE,215	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB	Einzelheiten
PMV50UPEVL	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	Einzelheiten
PMV50XPR	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CH 20V SOT23	Einzelheiten
PMV55ENEAR	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V TO-236AB	Einzelheiten
PMV56XN	NXP	PMV56XN NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
PMV56XN,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23	Einzelheiten
PMV56XN/DG	NXP	PMV56XN/DG NXP SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten