PMN70EPEX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMN70EPEX
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	570mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SC-74, SOT-457
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMN.0M.302.XLM	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.0M.302.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.0M.303.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.0M.305.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT 5SKT CRIMP	Einzelheiten
PMN.1M.302.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.1M.305.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.1M.308.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT 8SKT CRIMP	Einzelheiten
PMN.2M.310.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT	Einzelheiten
PMN.2M.312.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT 12SKT CRIMP	Einzelheiten
PMN.2M.319.XLMT	LEMO	CONN INLINE RCPT 19SKT CRIMP	Einzelheiten