| Artikelnummer | PMDXB600UNE |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 600mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3pF @ 10V |
| Leistung max | 265mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-DFN (1.1x1) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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PMDXB1200UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN | Einzelheiten |
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PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN | Einzelheiten |
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PMDXB600UNE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Einzelheiten |
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PMDXB600UNELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF | Einzelheiten |
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PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | Einzelheiten |
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PMDXB950UPE | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Einzelheiten |
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PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | Einzelheiten |
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PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | Einzelheiten |
