PIMD3F detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PIMD3F |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Resistor - Base (R1) |
10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) |
10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Frequenz - Übergang |
230MHz, 180MHz |
Leistung max |
250mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket |
6-TSOP |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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