PH7030AL,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PH7030AL,115
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1270pF @ 12V
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SC-100, SOT-669
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PH7030AL	NXP	PH7030AL NXP SOT669 New Original Stocks	Einzelheiten
PH7030AL,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK	Einzelheiten
PH7030L	PHILIPS	PH7030L PHILIPS SOT669 New Original Stocks	Einzelheiten
PH7030L,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK	Einzelheiten