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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › PDTD113ZTVL
PDTD113ZTVL

PDTD113ZTVL - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
PDTD113ZTVL
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
PDTD113ZTVL PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3085072 pcs
Referenzpreis
USD 0.05337/pcs
Unser Preis
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PDTD113ZTVL detaillierte Beschreibung

Artikelnummer PDTD113ZTVL
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) -
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket TO-236AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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