PDTA123JU,115 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PDTA123JU,115
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm)	2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm)	47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10µA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	-
Leistung max	200mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket	SOT-323-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PDTA113EE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75	Einzelheiten
PDTA113EK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3	Einzelheiten
PDTA113EM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883	Einzelheiten
PDTA113EMB,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN	Einzelheiten
PDTA113ES,126	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3	Einzelheiten
PDTA113ET,215	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB	Einzelheiten
PDTA113EU,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323	Einzelheiten
PDTA113ZE,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75	Einzelheiten
PDTA113ZK,115	NXP USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3	Einzelheiten
PDTA113ZM,315	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883	Einzelheiten