PDTA123ETVL detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PDTA123ETVL |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
- |
Resistor - Base (R1) |
2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) |
2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 20mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
- |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket |
TO-236AB |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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