PDTA114EMB,315 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PDTA114EMB,315 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
1µA |
Frequenz - Übergang |
180MHz |
Leistung max |
250mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
3-XFDFN |
Lieferantengerätepaket |
3-DFN1006B (0.6x1) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR PDTA114EMB,315