PBSS4230QAZ detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PBSS4230QAZ |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
2A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
30V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
190mV @ 50mA, 1A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 2A, 2V |
Leistung max |
325mW |
Frequenz - Übergang |
190MHz |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
3-XDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket |
DFN1010D-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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