| Artikelnummer | BUK9Y107-80EX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 706pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 37W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BUK9Y07-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y09-40B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y104-100B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y11-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y11-30B/C1,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y11-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y113-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y12-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Einzelheiten |
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BUK9Y12-40E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Einzelheiten |
