BUK9C10-65BIT,118 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
BUK9C10-65BIT,118 |
| Teilstatus |
Last Time Buy |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
65V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
75A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.3 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
59.6nC @ 5V |
| Vgs (Max) |
±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
4170pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
171W (Ta) |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
D2PAK-7 |
| Paket / Fall |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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