| Artikelnummer | BUK9606-55B,118 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7565pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 258W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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BUK9604-40A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Einzelheiten |
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BUK9605-30A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | Einzelheiten |
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BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Einzelheiten |
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BUK9606-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Einzelheiten |
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BUK9606-55B | EXSHINE | N-channel TrenchMOSTM logic level FET | Einzelheiten |
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