BUK7Y12-100EX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	BUK7Y12-100EX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5067pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	238W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK56, Power-SO8
Paket / Fall	SC-100, SOT-669
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BUK7Y07-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y08-40B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y08-40B/C,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y10-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y102-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y113-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y12-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y12-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y12-55B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK	Einzelheiten
BUK7Y12-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V LFPAK	Einzelheiten