BUK7105-40ATE,118 - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	BUK7105-40ATE,118
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (Max)	272W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-426
Paket / Fall	TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BUK7105-40AIE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7105-40ATE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7107-40ATC,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7107-55AIE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7107-55ATE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7108-40AIE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7109-75AIE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	Einzelheiten
BUK7109-75ATE,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK	Einzelheiten