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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › BCM857QASZ
BCM857QASZ

BCM857QASZ - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer
BCM857QASZ
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Kurze Beschreibung
BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BCM857QASZ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1349150 pcs
Referenzpreis
USD 0.12204/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BCM857QASZ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BCM857QASZ
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) Matched Pair
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Leistung max 350mW
Frequenz - Übergang 175MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN1010B-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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