SG2013J-883B

SG2013J-883B - Microsemi Corporation

Artikelnummer
SG2013J-883B
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20 pcs
Referenzpreis
USD 75.9/pcs
Unser Preis
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SG2013J-883B detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SG2013J-883B
Teilstatus Active
Transistor-Typ 7 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.9V @ 600µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 900 @ 500mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket 16-CDIP
Gewicht -
Ursprungsland -

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