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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › SG2003J
SG2003J

SG2003J - Microsemi Corporation

Artikelnummer
SG2003J
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SG2003J PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4175 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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SG2003J detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SG2003J
Teilstatus Active
Transistor-Typ 7 NPN Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 16-CDIP
Gewicht -
Ursprungsland -

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