SD1127 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	SD1127
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	18V
Frequenz - Übergang	175MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	12dB
Leistung max	8W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	640mA
Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket	TO-39
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SD 199 E6327	Infineon Technologies	DIODE VARACTOR RF SOD-323	Einzelheiten
SD-1010	Copal Electronics Inc.	SWITCH ROTARY DIP HEX 100MA 5V	Einzelheiten
SD-1011	Copal Electronics Inc.	SWITCH ROTARY DIP HEX 100MA 5V	Einzelheiten
SD-102-G-2	Samtec Inc.	CONN RCPT .100" 4POS DUAL GOLD	Einzelheiten
SD-1030	Copal Electronics Inc.	SW ROTARY DIP HEX COMP 100MA 5V	Einzelheiten
SD-1031	Copal Electronics Inc.	SW ROTARY DIP HEX COMP 100MA 5V	Einzelheiten
SD-104-T-2-N	Samtec Inc.	CONN RCPT .100" 8POS DUAL	Einzelheiten
SD-105-G-2	Samtec Inc.	SOCKET STRIPS	Einzelheiten
SD-105-TT-2	Samtec Inc.	SOCKET STRIPS	Einzelheiten
SD-108-G-2	Samtec Inc.	SOCKET STRIPS	Einzelheiten