SD1013-03 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	SD1013-03
Teilstatus	Obsolete
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	35V
Frequenz - Übergang	150MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	10dB
Leistung max	13W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 200mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	1A
Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	M113
Lieferantengerätepaket	M113
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SD1-7479	MWT	SD1-7479 MWT SMT New Original Stocks	Einzelheiten
SD10-100	EXSHINE	High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors	Einzelheiten
SD10-100-R	Eaton	FIXED IND 10UH 760MA 336 MOHM	Einzelheiten
SD10-101	EXSHINE	High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors	Einzelheiten
SD10-101-R	Eaton	FIXED IND 100UH 225MA 3.29 OHM	Einzelheiten
SD10-150	EXSHINE	High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors	Einzelheiten
SD10-150-R	Eaton	FIXED IND 15UH 613MA 442.9 MOHM	Einzelheiten
SD10-151	EXSHINE	High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors	Einzelheiten
SD10-151-R	Eaton	FIXED IND 150UH 200MA 4.15 OHM	Einzelheiten
SD10-1R0	EXSHINE	High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors	Einzelheiten