MV2N5116

MV2N5116 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
MV2N5116
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
P CHANNEL JFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - JFETs
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4363 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MV2N5116 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MV2N5116
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) 30V
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 25mA @ 15V
Stromabfluss (Id) - Max -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 6V @ 1nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein) 100 Ohm
Leistung max 500mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-18 (TO-206AA)
Gewicht -
Ursprungsland -

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