MS652S - Microsemi Corporation

Artikelnummer	MS652S
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	16V
Frequenz - Übergang	450MHz ~ 512MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	10dB
Leistung max	25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 200mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	2A
Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	M123
Lieferantengerätepaket	M123
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MS 1	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL	Einzelheiten
MS 1.25	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MNT 1.25A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 1.25TR	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MNT 1.25A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 1.5	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 1.5A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 1.5TR	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 1.5A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 1TR	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL	Einzelheiten
MS 2	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL	Einzelheiten
MS 2.5	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 2.5A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 2.5TR	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 2.5A 125VAC/VDC	Einzelheiten
MS 250	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC	Einzelheiten