MDS800 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	MDS800
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	65V
Frequenz - Übergang	1.09GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	8.6dB
Leistung max	1458W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 1A, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	60A
Betriebstemperatur	200°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	55ST-1
Lieferantengerätepaket	55ST-1
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MD S	C&K	SWITCH PUSH SPST-NO 0.1A 100V	Einzelheiten
MD S SG LFS	C&K	SWITCH PUSH SPST-NO 0.1A 100V	Einzelheiten
MD-002SRL	HALO	MD-002SRL HALO DIP New Original Stocks	Einzelheiten
MD-10MM	EXSHINE	Bluetooth㈢ 2.0 Spec Compliant	Einzelheiten
MD-1A	TDK Corporation	CAP CER 50PF 2KV C0H DISK	Einzelheiten
MD-2008-D08	ORIGINAL	MD-2008-D08 ORIGINAL PDIP New Original Stocks	Einzelheiten
MD-2188B	MD	MD-2188B MD QFP New Original Stocks	Einzelheiten
MD-2800-D08	M-SYSTEMS	MD-2800-D08 M-SYSTEMS DIP32 New Original Stocks	Einzelheiten
MD-2810-D08	M-SYSTEMS	MD-2810-D08 M-SYSTEMS SOP-32 New Original Stocks	Einzelheiten
MD-2811-D32-V3	MSYSTEMS	MD-2811-D32-V3 MSYSTEMS TSOP48 New Original Stocks	Einzelheiten