| Artikelnummer | JAN2N2857UB |
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| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
| Gewinnen | 21dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 40mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JAN2N1016B | Microsemi Corporation | TRANS NPN 100V 7.5A | Einzelheiten |
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JAN2N1016C | Microsemi Corporation | TRANS NPN 150V 7.5A | Einzelheiten |
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JAN2N1016D | Microsemi Corporation | TRANS NPN 100V 7.5A | Einzelheiten |
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JAN2N1479 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 60V 1.5A | Einzelheiten |
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JAN2N1482 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 55V 1.5A TO-5 | Einzelheiten |
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JAN2N1485 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 40V 3A | Einzelheiten |
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JAN2N1486 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 55V 3A | Einzelheiten |
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JAN2N1489 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 40V 6A | Einzelheiten |
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JAN2N1613 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 30V 0.5A | Einzelheiten |
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JAN2N1711 | Microsemi Corporation | TRANS NPN 30V 0.5A TO-39 | Einzelheiten |
