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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTMC120AM08CD3AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTMC120AM08CD3AG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25 pcs
Referenzpreis
USD 1125.76/pcs
Unser Preis
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APTMC120AM08CD3AG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTMC120AM08CD3AG
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 250A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 1000V
Leistung max 1100W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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