| Artikelnummer | APTM50HM75SCTG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 46A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 23A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5590pF @ 25V |
| Leistung max | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP4 |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APTM50A15FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 | Einzelheiten |
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APTM50AM17FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 | Einzelheiten |
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APTM50AM19FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 | Einzelheiten |
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APTM50AM19STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 | Einzelheiten |
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APTM50AM24SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Einzelheiten |
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APTM50AM24SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Einzelheiten |
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APTM50AM25FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 | Einzelheiten |
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APTM50AM35FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 | Einzelheiten |
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APTM50AM38FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Einzelheiten |
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APTM50AM38SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | Einzelheiten |
