APTM50DDAM65T3G

APTM50DDAM65T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTM50DDAM65T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
441 pcs
Referenzpreis
USD 60.1188/pcs
Unser Preis
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APTM50DDAM65T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTM50DDAM65T3G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 51A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Leistung max 390W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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