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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT50DDA120T3G
APTGT50DDA120T3G

APTGT50DDA120T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT50DDA120T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT50DDA120T3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
616 pcs
Referenzpreis
USD 42.0597/pcs
Unser Preis
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APTGT50DDA120T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT50DDA120T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Dual Boost Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 270W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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